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能源半导体可靠性测试与分析实验室

能源半导体可靠性测试分析实验室聚焦IC全产业链,为IC设计、制造、封测企业及科研院所提供环境及电性可靠性测试,失效分析及失效整改方案设计,可靠性整体设计方案制定(评估)及优化,产品全生命周期可靠性咨询及能源领域芯片解决方案制定、产品推广等服务。

测试 ESD&环境可靠性测试
  • BS芯片静电放电
    (ESD)敏感度测试
  • BS系统级静电放电
    (System ESD)测试
  • 高/低温工作寿命
    试验(HTOL/LTOL)
  • 温湿度偏压
    寿命试验(THB)
  • 高温正向/负向偏压
    试验(HTGB/HTRB)
  • 高/低温存储
    试验(HTST/LTST)
  • 高低温循环
    试验(TC)
  • 温湿度存储
    试验(THST)

Thermo Fisher MK.1 TE 半导体静电放电测试系统

最大支持芯片引脚数:128Pin

HBM测试能力:±30V~±8KV 最低步进:±10V

MM测试能力:±30V~ ±1,000V 最低步进:±10V

I-V测试范围:100V/1A;30V/5A

芯片供电电源个数:2

最大脉冲速率:10次/秒

分析 失效分析&研究分析
  • 电性失效分析
  • 物理失效分析
  • 芯片开盖&取Die
  • 芯片去层&截面分析

Thermo Fisher MK.1 TE 半导体静电放电测试系统

最大支持芯片引脚数:128Pin

HBM测试能力:±30V~±8KV 最低步进:±10V

MM测试能力:±30V~ ±1,000V 最低步进:±10V

I-V测试范围:100V/1A;30V/5A

芯片供电电源个数:2

最大脉冲速率:10次/秒

扩展 应用场景挖掘和推广
优化 ESD&可靠性方案优化

与某半导体头部企业合作为指定的5款DrMOS封装的超高功率密度供电芯片进行整体封装设计和使用材料的可靠性分析,并给出可靠性设计优化方案。项目工作内容包括芯片封装结构研究、关键工艺过程分析、可靠性激发方案的建立和验证以及可靠性封装应力模型的建立和实际应用场景的仿真分析。

X-Ray分析

Decap分析

横截面分析

仿真分析(依托清华大学微纳电子系实际完成)